-
Uudet alkuperäiset IRF9540NSTRLPBF elektroniset komponentit IRF9540NSTRLPBF
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET-tyyppi P-Channel Technology MOxSFET ) Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 100 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 23A (Tc) Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 14A, 10V... -
Alkuperäisten osien tukkujakelija IC-siru integroitu piiri IRF8736TRPBF IC-siru
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET-tyyppi N-Channel Technology MOxSFide ) Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 30 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 18A (Ta) Käyttöjännite (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4,8 mOhm @ 18A, 1... -
Uusi ja alkuperäinen elektroniikkakomponentti IRF7103TRPBF IC-siru
Tuoteominaisuudet TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Arrays Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET Type 2 N-Channel (D) FET Ominaisuus Vakiovirtalähde jännite (Vdss) 30 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 6,5 A Rds Päällä (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5,8 A, 10 V Vgs(th) (Max) @ Id 1 V @ 250 µA Portin lataus (Qg) (enintään... -
IRF7103TRPBF Uusi ja alkuperäinen integroitu piiri IC-siru IRF7103TRPBF
Tuoteominaisuudet TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Arrays Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET Type 2 N-Channel (D) FET Ominaisuus Vakiovirtalähde jännite (Vdss) 50 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 3A Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @... -
IRF7103TRPBF Uusi ja alkuperäinen integroitu piiri IC-siru IRF7103TRPBF
Tuoteominaisuudet TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Arrays Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET Type 2 N-Channel (D) FET Ominaisuus Vakiovirtalähde jännite (Vdss) 50 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 3A Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @... -
IRF4905STRLPBF Uudet ja alkuperäiset elektroniikkakomponentit IC Chip BOM Service Varastossa IRF4905STRLPBF
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET-tyyppi P-Channel Technology MOxSFET ) Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 55 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 42A (Tc) Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 42A, 10V Vg... -
Upouudet alkuperäiset elektroniset komponentit IC Chip IRF3205STRLPBF integroidut piirit
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET-tyyppi N-Channel Technology MOxSFide ) Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 55 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 110A (Tc) Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V Vg... -
IRF100S201 Advantage Supply Stock Uusi alkuperäinen Smart IC Chips BOM Service for IRF100S201
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies -sarja HEXFET®, StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET Technology Tyyppi N-ETChan (Metallioksidi) Tyhjennys lähteeseen Jännite (Vdss) 100 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 192A (Tc) Käyttöjännite (Max Rds On, Min Rds On) 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOh... -
IPW60R099P7 Uusi alkuperäinen Varastossa Nopea toimitus IC Chip Electronic Components BOM Service IPW60R099P7
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Integroidut piirit (ICs) Erikoispiirit Valmistaja Infineon Technologies -sarja - Paketin joukkotuotteen tila Aktiiviset asiakirjat ja media RESURSSIN TYYPPI LINKKI Tietolomakkeet IPW60R099P7 Tietolehti E. Ympäristö- ja vientiluokitukset AT. 5 Lisäresurssit ATTRIBUUTIN KUVAUS Muut nimet 2156 -IPW60R099P7 INFIPW60R099P7 Vakiopaketti 1 Integroitu piiri... -
IPD135N08N3G Upouusi integroitu piiri
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Tuotteen tila Vanhentunut FET Tyyppi N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain0V to Sources Jännite8 V-virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 45A (Tc) Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13,5mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) ( Max) @ Id... -
IPD036N04LG Hot Myynti ICS Uusi ja Alkuperäinen Korkealaatuinen
Tuotteen ominaisuudet TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ 3 Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET-tyyppi N-Channel Technology MOSF (Metallitekniikka MOSF) Oksidi) Tyhjennys lähteeseen Jännite (Vdss) 40 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 90A (Tc) Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,6 mOhm @ 90A... -
TO-252 IPD33CN10NG korkealaatuisella sirutransistorilla uusi ja alkuperäinen hinta
Tuotteen attribuutit TYYPPI KUVAUS Luokka Diskreetit puolijohdetuotteet Transistorit – FETit, MOSFETit – Single Mfr Infineon Technologies -sarja OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Tuotteen tila Aktiivinen FET-tyyppi N-Channel Technology MOxSFide ) Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 100 V Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 27A (Tc) Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 27A, 10V...
