order_bg

Tuotteet

IPD135N08N3G Upouusi integroitu piiri

Lyhyt kuvaus:


Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuoteominaisuudet

TYYPPI KUVAUS
Kategoria Erilliset puolijohdetuotteet

Transistorit – FETit, MOSFETit – Yksittäiset

Mfr Infineon Technologies
Sarja OptiMOS™
Paketti Tape & Reel (TR)
Tuotteen tila Vanhentunut
FET-tyyppi N-kanava
Tekniikka MOSFET (metallioksidi)
Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 80 V
Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 13,5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3,5V @ 33µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs (max) ±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 40 V
FET-ominaisuus -
Tehonhäviö (maks.) 79 W (Tc)
Käyttölämpötila -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi Pinta-asennus
Toimittajan laitepaketti PG-TO252-3
Paketti / kotelo TO-252-3, DPak (2 johtoa + välilehti), SC-63
Perustuotenumero IPD135N

Asiakirjat & Media

RESURSSIN TYYPPI LINKKI
Tietolomakkeet IPD135N08N3G
Muut asiaan liittyvät asiakirjat Osanumeron opas
Suositeltu tuote Tietojenkäsittelyjärjestelmät
HTML Datasheet IPD135N08N3G

Ympäristö- ja vientiluokitukset

ATTRIBUUTI KUVAUS
Kosteusherkkyystaso (MSL) 1 (rajoittamaton)
REACH-tila REACH Ei vaikuta
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Lisäresurssit

ATTRIBUUTI KUVAUS
Muut nimet SP000454266

IPD135N08N3GBTMA1TR

IPD135N08N3 G

IPD135N08N3 G-ND

Vakiopaketti 2 500

Transistori on puolijohdelaite, jota käytetään yleisesti vahvistimissa tai elektronisesti ohjatuissa kytkimissä.Transistorit ovat perusrakennuspalikoita, jotka säätelevät tietokoneiden, matkapuhelimien ja kaikkien muiden nykyaikaisten elektronisten piirien toimintaa.

Nopean vastenopeuden ja suuren tarkkuutensa ansiosta transistoreja voidaan käyttää monenlaisiin digitaalisiin ja analogisiin toimintoihin, mukaan lukien vahvistus, kytkentä, jännitesäädin, signaalimodulaatio ja oskillaattori.Transistorit voidaan pakata yksittäin tai hyvin pienelle alueelle, johon mahtuu 100 miljoonaa tai enemmän transistoria osana integroitua piiriä.

Elektroniputkeen verrattuna transistorilla on monia etuja:

Komponentilla ei ole kulutusta

Riippumatta siitä, kuinka hyvä putki on, se huononee vähitellen katodiatomien muutosten ja kroonisten ilmavuotojen vuoksi.Teknisistä syistä transistoreilla oli sama ongelma, kun niitä valmistettiin.Materiaalien edistymisen ja monien parannusten ansiosta transistorit kestävät yleensä 100-1000 kertaa pidempään kuin elektroniset putket.

Kuluttaa hyvin vähän virtaa

Se on vain yksi kymmenesosa tai kymmeniä yhdestä elektroniputkesta.Sen ei tarvitse lämmittää filamenttia tuottaakseen vapaita elektroneja, kuten elektroniputken.Transistoriradio tarvitsee vain muutaman kuivapariston kuunnellakseen kuusi kuukautta vuodessa, mikä on vaikeaa tehdä putkiradiolle.

Ei tarvitse esilämmittää

Työskentele heti, kun kytket sen päälle.Esimerkiksi transistoriradio sammuu heti, kun se kytketään päälle, ja transistoritelevisio asettaa kuvan heti, kun se kytketään päälle.Tyhjiöputkilaitteet eivät pysty siihen.Odota käynnistyksen jälkeen jonkin aikaa, jotta kuulet äänen, katso kuva.On selvää, että sotilas-, mittaus-, tallennus- jne. transistorit ovat erittäin edullisia.

Vahva ja luotettava

100 kertaa luotettavampi kuin elektroniputki, iskunkestävyys, tärinänkestävyys, joka on vertaansa vailla elektroniputkeen.Lisäksi transistorin koko on vain kymmenesosa - sadasosa elektroniputken koosta, hyvin vähän lämmön vapautumista, voidaan suunnitella pieniä, monimutkaisia, luotettavia piirejä.Vaikka transistorin valmistusprosessi on tarkka, prosessi on yksinkertainen, mikä parantaa komponenttien asennustiheyttä.


  • Edellinen:
  • Seuraava:

  • Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille