XCZU19EG-2FFVC1760E 100 % uusi ja alkuperäinen DC-DC-muunnin ja kytkentäsäädinsiru

XCZU19EG-2FFVC1760E 100 % uusi ja alkuperäinen DC-DC-muunnin ja kytkentäsäädinpiirin esittelykuva

Lyhyt kuvaus:

Tämä tuoteperhe yhdistää monipuolisen 64-bittisen neliytimisen tai kaksiytimisen Arm® Cortex®-A53 ja kaksiytimisen Arm Cortex-R5F -pohjaisen prosessointijärjestelmän (PS) ja ohjelmoitavan logiikan (PL) UltraScale-arkkitehtuurin yhdeksi laite.Mukana on myös on-chip-muisti, moniporttiset ulkoiset muistiliitännät ja runsas joukko oheislaitteiden liitäntöjä.

Lähetä meille sähköpostia Lataa päivämäärälomake

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuoteominaisuudet

Tuotteen ominaisuus	Attribuutin arvo
Valmistaja:	Xilinx
Tuotekategoria:	SoC FPGA
Toimitusrajoitukset:	Tämä tuote saattaa vaatia lisäasiakirjoja viedäkseen Yhdysvalloista.
RoHS:	Yksityiskohdat
Asennustyyli:	SMD/SMT
Paketti/kotelo:	FBGA-1760
Ydin:	ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2
Ydinten lukumäärä:	7 ydin
Suurin kellotaajuus:	600 MHz, 667 MHz, 1,5 GHz
L1 välimuisti käskymuisti:	2 x 32 kt, 4 x 32 kt
L1-välimuisti:	2 x 32 kt, 4 x 32 kt
Ohjelman muistin koko:	-
Tietojen RAM-koko:	-
Logiikkaelementtien lukumäärä:	1143450 LE
Mukautuvat logiikkamoduulit – ALM:t:	65340 ALM
Sisäänrakennettu muisti:	34,6 Mbit
Käyttöjännite:	850 mV
Minimi käyttölämpötila:	0 C
Maksimi käyttölämpötila:	+100 C
Brändi:	Xilinx
Jaettu RAM:	9,8 Mbit
Sulautettu lohko-RAM - EBR:	34,6 Mbit
Kosteudelle herkkä:	Joo
Logiikkataulukkolohkojen määrä - LAB:t:	65340 LAB
Lähetin-vastaanottimien määrä:	72 Lähetin-vastaanotin
Tuotetyyppi:	SoC FPGA
Sarja:	XCZU19EG
Tehdaspakkauksen määrä:	1
Alaluokka:	SOC - Systems on a Chip
Kauppanimi:	Zynq UltraScale+

Integroidun piirin tyyppi

Elektroneihin verrattuna fotoneilla ei ole staattista massaa, heikko vuorovaikutus, vahva häiriönestokyky ja ne sopivat paremmin tiedonsiirtoon.Optisista yhteenliitännöistä odotetaan muodostuvan ydintekniikka, joka murtaa virrankulutusseinän, varastoseinän ja viestintäseinän.Valaisin, liitin, modulaattori, aaltoputkilaitteet on integroitu suuritiheyksisiin optisiin ominaisuuksiin, kuten integroituun valosähköiseen mikrojärjestelmään, ne voivat toteuttaa korkeatiheyksisen valosähköisen integraation laadun, volyymin, virrankulutuksen, valosähköisen integrointialustan, joka sisältää integroidun III - V yhdistepuolijohteen monoliittisen (INP) ) passiivinen integrointialusta, silikaatti- tai lasialusta (tasomainen optinen aaltoputki, PLC) ja piipohjainen alusta.

InP-alustaa käytetään pääasiassa laserin, modulaattorin, ilmaisimen ja muiden aktiivisten laitteiden tuotantoon, matala teknologian taso, korkeat substraattikustannukset;PLC-alustan käyttö passiivisten komponenttien tuottamiseen, pieni häviö, suuri määrä;Molempien alustojen suurin ongelma on, että materiaalit eivät ole yhteensopivia piipohjaisen elektroniikan kanssa.Piipohjaisen fotonisen integraation huomattavin etu on, että prosessi on yhteensopiva CMOS-prosessin kanssa ja tuotantokustannukset ovat alhaiset, joten sitä pidetään potentiaalisimpana optoelektronisena ja jopa täysin optisena integrointimallina.

Piipohjaisille fotonilaitteille ja CMOS-piireille on olemassa kaksi integrointimenetelmää.

Edellisen etuna on, että fotonilaitteet ja elektroniset laitteet voidaan optimoida erikseen, mutta myöhempi pakkaus on vaikeaa ja kaupalliset sovellukset rajalliset.Jälkimmäistä on vaikea suunnitella ja käsitellä näiden kahden laitteen integrointi.Tällä hetkellä ydinhiukkasten integraatioon perustuva hybridikokoonpano on paras valinta

Edellinen: XCKU060-2FFVA1156I 100 % uusi ja alkuperäinen DC-DC-muunnin ja kytkentäsäädinpiiri

Seuraava: 10AX066H3F34E2SG 100 % uusi ja alkuperäinen eristysvahvistin 1 piirin differentiaali 8-SOP

Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille