IPD135N08N3G Upouusi integroitu piiri
Tuoteominaisuudet
| TYYPPI | KUVAUS |
| Kategoria | Erilliset puolijohdetuotteet |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Sarja | OptiMOS™ |
| Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Tuotteen tila | Vanhentunut |
| FET-tyyppi | N-kanava |
| Tekniikka | MOSFET (metallioksidi) |
| Tyhjennys lähdejännite (Vdss) | 80 V |
| Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs | 13,5 mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,5V @ 33µA |
| Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (max) | ±20V |
| Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonhäviö (maks.) | 79 W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Pinta-asennus |
| Toimittajan laitepaketti | PG-TO252-3 |
| Paketti / kotelo | TO-252-3, DPak (2 johtoa + välilehti), SC-63 |
| Perustuotenumero | IPD135N |
Asiakirjat & Media
| RESURSSIN TYYPPI | LINKKI |
| Tietolomakkeet | IPD135N08N3G |
| Muut asiaan liittyvät asiakirjat | Osanumeron opas |
| Suositeltu tuote | Tietojenkäsittelyjärjestelmät |
| HTML Datasheet | IPD135N08N3G |
Ympäristö- ja vientiluokitukset
| ATTRIBUUTI | KUVAUS |
| Kosteusherkkyystaso (MSL) | 1 (rajoittamaton) |
| REACH-tila | REACH Ei vaikuta |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Lisäresurssit
| ATTRIBUUTI | KUVAUS |
| Muut nimet | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G IPD135N08N3 G-ND |
| Vakiopaketti | 2 500 |
Transistori on puolijohdelaite, jota käytetään yleisesti vahvistimissa tai elektronisesti ohjatuissa kytkimissä.Transistorit ovat perusrakennuspalikoita, jotka säätelevät tietokoneiden, matkapuhelimien ja kaikkien muiden nykyaikaisten elektronisten piirien toimintaa.
Nopean vastenopeuden ja suuren tarkkuutensa ansiosta transistoreja voidaan käyttää monenlaisiin digitaalisiin ja analogisiin toimintoihin, mukaan lukien vahvistus, kytkentä, jännitesäädin, signaalimodulaatio ja oskillaattori.Transistorit voidaan pakata yksittäin tai hyvin pienelle alueelle, johon mahtuu 100 miljoonaa tai enemmän transistoria osana integroitua piiriä.
Elektroniputkeen verrattuna transistorilla on monia etuja:
Komponentilla ei ole kulutusta
Riippumatta siitä, kuinka hyvä putki on, se huononee vähitellen katodiatomien muutosten ja kroonisten ilmavuotojen vuoksi.Teknisistä syistä transistoreilla oli sama ongelma, kun niitä valmistettiin.Materiaalien edistymisen ja monien parannusten ansiosta transistorit kestävät yleensä 100-1000 kertaa pidempään kuin elektroniset putket.
Kuluttaa hyvin vähän virtaa
Se on vain yksi kymmenesosa tai kymmeniä yhdestä elektroniputkesta.Sen ei tarvitse lämmittää filamenttia tuottaakseen vapaita elektroneja, kuten elektroniputken.Transistoriradio tarvitsee vain muutaman kuivapariston kuunnellakseen kuusi kuukautta vuodessa, mikä on vaikeaa tehdä putkiradiolle.
Ei tarvitse esilämmittää
Työskentele heti, kun kytket sen päälle.Esimerkiksi transistoriradio sammuu heti, kun se kytketään päälle, ja transistoritelevisio asettaa kuvan heti, kun se kytketään päälle.Tyhjiöputkilaitteet eivät pysty siihen.Odota käynnistyksen jälkeen jonkin aikaa, jotta kuulet äänen, katso kuva.On selvää, että sotilas-, mittaus-, tallennus- jne. transistorit ovat erittäin edullisia.
Vahva ja luotettava
100 kertaa luotettavampi kuin elektroniputki, iskunkestävyys, tärinänkestävyys, joka on vertaansa vailla elektroniputkeen.Lisäksi transistorin koko on vain kymmenesosa - sadasosa elektroniputken koosta, hyvin vähän lämmön vapautumista, voidaan suunnitella pieniä, monimutkaisia, luotettavia piirejä.Vaikka transistorin valmistusprosessi on tarkka, prosessi on yksinkertainen, mikä parantaa komponenttien asennustiheyttä.
