IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC-siru Uusi elektroniikkakomponentti

Lyhyt kuvaus:

Lähetä meille sähköpostia Lataa päivämäärälomake

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

IPD042P03L3 G
P-kanavan parannustila Kenttätransistori (FET), -30 V, D-PAK
Infineonin erittäin innovatiiviset Opti MOS™ -perheet sisältävät p-kanavaiset teho-MOSFETit.Nämä tuotteet täyttävät johdonmukaisesti korkeimmat laatu- ja suorituskykyvaatimukset sähköjärjestelmän suunnittelun keskeisissä eritelmissä, kuten on-state-vastus ja ansiot.

Ominaisuuksien yhteenveto
Parannustila
Logiikka taso
Lumivyöry arvioitu
Nopea vaihto
Dv/dt mitoitettu
Pb-vapaa lyijypinnoitus
RoHS-yhteensopiva, halogeeniton
Hyväksytty AEC Q101:n mukaan
Mahdolliset sovellukset
Virranhallintatoiminnot
Moottorin ohjaus
Sisäänrakennettu laturi
DC-DC
Kuluttaja
Logiikkatason kääntäjät
Tehoa MOSFET-portin ajurit
Muut vaihtosovellukset

Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuus	Attribuutin arvo
Valmistaja:	Infineon
Tuotekategoria:	MOSFET
RoHS:	Yksityiskohdat
Tekniikka:	Si
Asennustyyli:	SMD/SMT
Paketti/kotelo:	TO-252-3
Transistorin napaisuus:	P-kanava
Kanavien määrä:	1 kanava
Vds – tyhjennyslähteen läpijakojännite:	30 V
Id – Jatkuva tyhjennysvirta:	70 A
Rds päällä – tyhjennysvastus:	3,5 mOhmia
Vgs – portin lähdejännite:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – portin lähteen kynnysjännite:	2 V
Qg – porttimaksu:	175 nC
Minimi käyttölämpötila:	-55 C
Maksimi käyttölämpötila:	+175 C
Pd – tehonhäviö:	150 W
Kanavatila:	Tehostaminen
Kauppanimi:	OptiMOS
Pakkaus:	Kela
Pakkaus:	Leikkaa nauha
Pakkaus:	MouseReel
Brändi:	Infineon Technologies
Kokoonpano:	Yksittäinen
Syksyn aika:	22 ns
Eteenpäin johtavuus – Min:	65 S
Korkeus:	2,3 mm
Pituus:	6,5 mm
Tuotetyyppi:	MOSFET
Nousuaika:	167 ns
Sarja:	OptiMOS P3
Tehdaspakkauksen määrä:	2500
Alaluokka:	MOSFETit
Transistorin tyyppi:	1 P-kanava
Tyypillinen sammutusviive:	89 ns
Tyypillinen käynnistysviive:	21 ns
Leveys:	6,22 mm
Osa # aliakset:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Yksikköpaino:	0,011640 oz