Uudet alkuperäiset XC7A50T-2CSG324I Inventory Spot Ic Chip -integroidut piirit

Uusi alkuperäinen XC7A50T-2CSG324I Inventory Spot Ic Chip integroidut piirit Suositeltu kuva

Lyhyt kuvaus:

Lähetä meille sähköpostia Lataa päivämäärälomake

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuoteominaisuudet

TYYPPI	KUVAUS
Kategoria	Integroidut piirit (ICs) Upotettu FPGA:t (Field Programmable Gate Array)
Mfr	AMD Xilinx
Sarja	Artix-7
Paketti	Tarjotin
Tuotteen tila	Aktiivinen
LAB:iden/CLB:iden lukumäärä	4075
Logiikkaelementtien/solujen lukumäärä	52160
Yhteensä RAM-bittejä	2764800
I/O:n määrä	210
Jännite – Syöttö	0,95 V ~ 1,05 V
Asennustyyppi	Pinta-asennus
Käyttölämpötila	-40°C ~ 100°C (TJ)
Paketti / kotelo	324-LFBGA, CSPBGA
Toimittajan laitepaketti	324-CSPBGA (15×15)
Perustuotenumero	XC7A50

Ilmoita tuotetietovirheestä

Näytä samanlaiset

Asiakirjat & Media

RESURSSIN TYYPPI	LINKKI
Tietolomakkeet	Artix-7 FPGA-tietolehti Artix-7 FPGA:n lyhyt kuvaus 7-sarjan FPGA yleiskatsaus
Ympäristötiedot	Xilinx REACH211 -sertifikaatti Xilinx RoHS -sertifikaatti
Suositeltu tuote	USB104 A7 Artix-7 FPGA-kehityskortti

Ympäristö- ja vientiluokitukset

ATTRIBUUTI	KUVAUS
RoHS-tila	ROHS3-yhteensopiva
Kosteusherkkyystaso (MSL)	3 (168 tuntia)
REACH-tila	REACH Ei vaikuta
ECCN	3A991D
HTSUS	8542.39.0001

Integroitu virtapiiri

Integroitu piiri tai monoliittinen integroitu piiri (kutsutaan myös IC:ksi, siruksi tai mikrosiruksi) on joukkoelektroniset piirityhdellä pienellä litteällä palalla (tai "sirulla").puolijohdemateriaalia, yleensäpiitä.Suuret numerotpienistäMOSFETit(metalli-oksidi-puolijohdekenttätransistorit) integroida pieneksi siruksi.Tämä johtaa piireihin, jotka ovat suuruusluokkaa pienempiä, nopeampia ja halvempia kuin erillisistä piireistä rakennetut piirit.elektroniset komponentit.IC:tmassatuotantokyky, luotettavuus ja rakennuspalikka lähestymistapaintegroidun piirin suunnitteluon varmistanut standardisoitujen IC:ien nopean käyttöönoton diskreettiä käyttävien mallien sijaantransistorit.IC:itä käytetään nykyään käytännössä kaikissa elektronisissa laitteissa, ja ne ovat mullistaneet maailmanelektroniikka.Tietokoneet,matkapuhelimetja muutkodinkoneetovat nyt erottamattomia osia nykyaikaisten yhteiskuntien rakenteessa, minkä mahdollistavat IC:iden, kuten modernin, pienen koon ja alhaiset kustannukset.tietokoneen prosessoritjamikro-ohjaimet.

Erittäin laaja-alainen integraatiotehtiin käytännölliseksi tekniikan kehityksen myötämetalli-oksidi-pii(MOS)puolijohdelaitteiden valmistus.Sirujen koko, nopeus ja kapasiteetti ovat syntyneet 1960-luvulla, ja niiden koko, nopeus ja kapasiteetti ovat kehittyneet valtavasti, mikä johtuu teknisestä kehityksestä, joka sopii yhä useammalle MOS-transistoreille samankokoisille siruille – nykyaikaisessa sirussa voi olla useita miljardeja MOS-transistoreita. ihmisen kynnen kokoinen alue.Nämä edistysaskeleet, karkeasti seuraavatMooren laki, saavat nykypäivän tietokonesirut omaamaan miljoonia kertoja kapasiteettia ja tuhansia kertoja nopeampia kuin 1970-luvun alun tietokonesirut.

IC:illä on kaksi pääasiallista etua verrattunaerilliset piirit: hinta ja suorituskyky.Kustannukset ovat alhaiset, koska sirut kaikkine komponentteineen painavat yksikkönäfotolitografiasen sijaan, että rakennettaisiin yksi transistori kerrallaan.Lisäksi pakatut IC:t käyttävät paljon vähemmän materiaalia kuin erilliset piirit.Suorituskyky on korkea, koska IC:n komponentit vaihtuvat nopeasti ja kuluttavat suhteellisen vähän virtaa pienen koon ja läheisyyden vuoksi.IC:iden suurin haittapuoli on niiden suunnittelun ja tarvittavien valmistuksen korkeat kustannuksetvalokuvanaamarit.Tämä korkea alkukustannus tarkoittaa, että IC:t ovat kaupallisesti kannattavia vain silloin, kunsuuria tuotantomääriäovat odotettavissa.

Terminologia[muokata]

Anintegroitu virtapiirimääritellään seuraavasti:^[1]

Piiri, jossa kaikki tai osa piirielementeistä on erottamattomasti yhdistetty ja kytketty sähköisesti toisiinsa siten, että sitä pidetään jakamattomana rakentamisen ja kaupan kannalta.

Tämän määritelmän mukaisia piirejä voidaan rakentaa käyttämällä monia erilaisia tekniikoita, mukaan lukienohutkalvotransistorit,paksukalvoteknologiaa, taiintegroidut hybridipiirit.Yleisessä käytössä kuitenkinintegroitu virtapiirion alkanut viitata yksiosaiseen piirirakenteeseen, joka tunnettiin alun perin nimellä amonoliittinen integroitu piiri, rakennettu usein yhdelle piipalalle.^[2]^[3]

Historia

Varhainen yritys yhdistää useita komponentteja yhdeksi laitteeksi (kuten nykyaikaiset IC:t) oliLoewe 3NFtyhjiöputki 1920-luvulta.Toisin kuin IC:t, se on suunniteltu tarkoitukseenveronkierto, kuten Saksassa, radiovastaanottimissa oli vero, joka perittiin sen mukaan, kuinka monta putken pidikettä radiovastaanottimessa oli.Se salli radiovastaanottimissa olla yhden putken pidike.

Varhaiset käsitykset integroidusta piiristä juontavat juurensa vuoteen 1949, jolloin saksalainen insinööriWerner Jacobi ^[4](Siemens AG)^[5]haki patentin integroitua piiriä muistuttavalle puolijohdevahvistimelle^[6]näyttää viisitransistorityhteisellä alustalla kolmivaiheisestivahvistinjärjestely.Jacobi paljastaa pieniä ja halpojaKuulolaitteetpatenttinsa tyypillisinä teollisina sovelluksina.Hänen patenttinsa välitöntä kaupallista käyttöä ei ole raportoitu.

Toinen konseptin varhainen kannattaja oliGeoffrey Dummer(1909–2002), tutkatieteilijä, joka työskenteleeKuninkaallinen tutkalaitosbrittiläisistäPuolustusministeriö.Dummer esitteli idean yleisölle Symposiumissa on Progress in Quality Electronic Components vuonnaWashington, DC7 päivänä toukokuuta 1952.^[7]Hän piti monia symposiumeja julkisesti levittääkseen ideoitaan ja epäonnistui rakentaa tällaista piiriä vuonna 1956. Vuosina 1953-1957,Sidney Darlingtonja Yasuo Tarui (Sähkötekninen laboratorio) ehdotti samanlaisia sirumalleja, joissa useat transistorit voisivat jakaa yhteisen aktiivisen alueen, mutta sellaista ei ollutsähköinen eristyserottamaan ne toisistaan.^[4]

Monoliittinen integroitu piiri otettiin käyttöön keksinnöillätasomainen prosessikirjoittajaJean Hoernijap–n-liitoksen eristyskirjoittajaKurt Lehovec.Hoernin keksintö rakentuiMohamed M. Atallapinnan passivointia koskeva työ sekä Fullerin ja Ditzenbergerin työ boorin ja fosforin epäpuhtauksien diffuusiosta piiksi,Carl Froschja Lincoln Derickin työ pinnan suojauksesta jaChih-Tang Sahn työtä diffuusionaamioinnissa oksidilla.^[8]