order_bg

Tuotteet

Integroidut piirit IRFH5007TRPBF IC-siru IRFH5007TRPBF parhaaseen hintaan

Lyhyt kuvaus:


Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuoteominaisuudet

TYYPPI KUVAUS
Kategoria Erilliset puolijohdetuotteet

Transistorit – FETit, MOSFETit – Yksittäiset

Mfr Infineon Technologies
Sarja HEXFET®
Paketti Tape & Reel (TR)

Leikkaa nauha (CT)

Digi-Reel®

Tuotteen tila Viimeinen ostokerta
FET-tyyppi N-kanava
Tekniikka MOSFET (metallioksidi)
Tyhjennys lähdejännite (Vdss) 75 V
Virta – Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C 17A (Ta), 100A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Vgs (max) ±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds 4290 pF @ 25 V
FET-ominaisuus -
Tehonhäviö (maks.) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc)
Käyttölämpötila -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi Pinta-asennus
Toimittajan laitepaketti 8-PQFN (5×6)
Paketti / kotelo 8-PowerTDFN
Perustuotenumero IRFH5007

Asiakirjat & Media

RESURSSIN TYYPPI LINKKI
Tietolomakkeet IRFH5007PbF
Tuotekoulutusmoduulit Korkeajännitteiset integroidut piirit (HVIC-porttiohjaimet)
Ympäristötiedot PQFN 5×6 RoHS-yhteensopivuus
Suositeltu tuote Tietojenkäsittelyjärjestelmät
HTML Datasheet IRFH5007PbF
EDA mallit Ultra Librarian IRFH5007TRPBF
Simulaatiomallit Maustemalli IRFH5007PBF

Ympäristö- ja vientiluokitukset

ATTRIBUUTI KUVAUS
RoHS-tila ROHS3-yhteensopiva
Kosteusherkkyystaso (MSL) 1 (rajoittamaton)
REACH-tila REACH Ei vaikuta
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Lisäresurssit

ATTRIBUUTI KUVAUS
Muut nimet IRFH5007TRPBF-ND

IRHF5007TRPBFCT

SP001564166

IRFH5007TRPBFDKR

IRFH5007TRPBFTR

Vakiopaketti 4 000

Transistori on puolijohdelaite, jota käytetään yleisesti vahvistimissa tai elektronisesti ohjatuissa kytkimissä.Transistorit ovat perusrakennuspalikoita, jotka säätelevät tietokoneiden, matkapuhelimien ja kaikkien muiden nykyaikaisten elektronisten piirien toimintaa.

Nopean vastenopeuden ja suuren tarkkuutensa ansiosta transistoreja voidaan käyttää monenlaisiin digitaalisiin ja analogisiin toimintoihin, mukaan lukien vahvistus, kytkentä, jännitesäädin, signaalimodulaatio ja oskillaattori.Transistorit voidaan pakata yksittäin tai hyvin pienelle alueelle, johon mahtuu 100 miljoonaa tai enemmän transistoria osana integroitua piiriä.

Elektroniputkeen verrattuna transistorilla on monia etuja:

1. Komponentilla ei ole kulutusta

Riippumatta siitä, kuinka hyvä putki on, se huononee vähitellen katodiatomien muutosten ja kroonisten ilmavuotojen vuoksi.Teknisistä syistä transistoreilla oli sama ongelma, kun niitä valmistettiin.Materiaalien edistymisen ja monien parannusten ansiosta transistorit kestävät yleensä 100-1000 kertaa pidempään kuin elektroniset putket.

2. Kuluttaa hyvin vähän virtaa

Se on vain yksi kymmenesosa tai kymmeniä yhdestä elektroniputkesta.Sen ei tarvitse lämmittää filamenttia tuottaakseen vapaita elektroneja, kuten elektroniputken.Transistoriradio tarvitsee vain muutaman kuivapariston kuunnellakseen kuusi kuukautta vuodessa, mikä on vaikeaa tehdä putkiradiolle.

3.Ei tarvitse esilämmittää

Työskentele heti, kun kytket sen päälle.Esimerkiksi transistoriradio sammuu heti, kun se kytketään päälle, ja transistoritelevisio asettaa kuvan heti, kun se kytketään päälle.Tyhjiöputkilaitteet eivät pysty siihen.Odota käynnistyksen jälkeen jonkin aikaa, jotta kuulet äänen, katso kuva.On selvää, että sotilas-, mittaus-, tallennus- jne. transistorit ovat erittäin edullisia.

4. Vahva ja luotettava

100 kertaa luotettavampi kuin elektroniputki, iskunkestävyys, tärinänkestävyys, joka on vertaansa vailla elektroniputkeen.Lisäksi transistorin koko on vain kymmenesosa - sadasosa elektroniputken koosta, hyvin vähän lämmön vapautumista, voidaan suunnitella pieniä, monimutkaisia, luotettavia piirejä.Vaikka transistorin valmistusprosessi on tarkka, prosessi on yksinkertainen, mikä parantaa komponenttien asennustiheyttä.


  • Edellinen:
  • Seuraava:

  • Kirjoita viestisi tähän ja lähetä se meille